База кодов ГОСТ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Диоды
31.080.10. Диоды
- Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления - Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance
Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:
метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;
метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн - Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods
Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:
для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;
для туннельных диодов - Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода
Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode
Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости - Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage
Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора - Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод.
Стандарт не распространяется на стабилитроны - Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока
Rectifier diodes. Methods of measuring average forward voltage and average reverse current
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые выпрямительные диоды малой и средней мощности, полупроводниковые выпрямительные столбы и устанавливает метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока - Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости
Variable capacitance diodes. Method of measuring temperature coefficient of capacitance
Настоящий стандарт распространяется на варикапы, предназначенные для работы в диапазоне частот 0,25-1000 Гц, и устанавливает метод измерения температурного коэффициента емкости - Варикапы. Метод измерения добротности
Variable capacitance diodes. Method for measuring the quality factor
Настоящий стандарт распространяется на варикапы емкостью более 4 пФ в диапазоне частот 0,25-1000 МГц и устанавливает два метода измерения добротности варикапов
