База кодов ГОСТ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы
31.080.30. Транзисторы
- Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
Field-effect transistors. Noise figure measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора - Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки - Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
