База кодов ГОСТ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 20003-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
    Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
  • ГОСТ 20215-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
    Semiconductor microwave diodes. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
    Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды
  • ГОСТ 20332-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Thyristors. Terms, definitions and letter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.
    Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
  • ГОСТ 20398.0-83.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
    Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов
  • ГОСТ 20398.1-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
    Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  • ГОСТ 20398.2-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
    Field-effect transistors. Noise figure measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума
  • ГОСТ 20398.3-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
    Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  • ГОСТ 20398.4-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
    Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  • ГОСТ 20398.5-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
    Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

Вопрос-ответ
Заказ звонка