База кодов ТНВЭД

8541 - Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды; пьезоэлектрические кристаллы в сборе:

(А) Диоды, транзисторы и аналогичные

полупроводниковые приборы

Они определены в примечании 5 (А) к этой группе.

Работа приборов этой группировки товаров основана на электронных свойствах некоторых "полупроводниковых" материалов.

Главными характеристиками этих материалов являются те, которые заключаются в том, что при комнатной температуре их удельное сопротивление лежит в диапазоне между удельными сопротивлениями проводников (металлов) и удельными сопротивлениями изоляторов. Они состоят, например, из некоторых руд (например, кристаллический галенит), четырехвалентных химических элементов (германий, кремний и т.д.) или сочетаний химических элементов (например, трехвалентных и пятивалентных элементов, таких как арсенид галлия, антимонид индия).

Полупроводниковые материалы, состоящие из четырехвалентного химического элемента, являются обычно монокристаллическими. Они используются не в чистом виде, а после очень слабого легирования (в соотношении, выражаемом в частях на миллион) со специфической "примесью" (легирующей примесью).

Для четырехвалентного элемента "примесью" может быть пятивалентный химический элемент (фосфор, мышьяк, сурьма и т.д.) или трехвалентный элемент (бор, алюминий, галлий, индий и т.д.). Первый образует полупроводники n-типа с избыточными электронами (отрицательно заряженные); последний образует полупроводники р-типа с недостаточными электронами, то есть в которых преобладают дырки (положительно заряженные)

Полупроводниковые материалы, объединяющие трех- и пятивалентные химические элементы, также легируются.

В полупроводниковых материалах этой группировки, состоящих из руд, примеси, обычно содержащиеся в руде, выполняют функции легирующих примесей.

Полупроводниковые приборы этой группировки обычно включают в себя один или более "переходов", между полупроводниковыми материалами р-типа и n-типа.

Они включают:

(I) Диоды, которые являются двухэлектродными приборами с одним р-n переходом; они обеспечивают возможность протекания тока в одном направлении (прямом), но оказывают очень высокое сопротивление в другом направлении (обратном). Они используются для детектирования, выпрямления, коммутации и т.д.

Главными типами диодов являются передающие сигнал диоды, мощные выпрямительные диоды, диоды стабилизаторы напряжения, диоды опорного напряжения.

(II) Транзисторы являются трех- или четырехэлектродными приборами, способными усиливать, генерировать, частотно преобразовывать или коммутировать электрические токи. Работа транзистора зависит от изменения в удельном сопротивлении между двумя полюсами после приложения электрического поля к третьему полюсу. Прилагаемый сигнал управления или поле являются более слабыми, чем полученное в результате воздействие, вызванное изменением сопротивления и, таким образом в результате получают усиление.

Транзисторы включают в себя:

(1) Биполярные транзисторы, которые являются трехэлектродными приборами, состоящими из двух переходов диодного типа, и их транзисторное воздействие зависит как от положительных, так и отрицательных носителей заряда (поэтому и называемых биполярными).

(2) Полевые транзисторы (также называемые структуры металл-окисел-полупроводник (МОП)), которые могут иметь, а могут и не иметь перехода, но которые зависят от вызванного обеднения (или обогащения) имеющихся свободных носителей заряда между двумя электродами. Транзисторное воздействие в полевом транзисторе использует лишь один тип носителя заряда (поэтому они и называются униполярными). Транзисторы МОП-типа, имеющие четыре электрода, называются тетродами.

(III) Аналогичные полупроводниковые приборы. К "аналогичным" приборам, упоминаемым здесь, относятся полупроводниковые приборы, работа которых зависит от изменений удельного сопротивления при приложении электрического поля.

Они включают:

(1) Тиристоры, состоящие из четырех зон проводимости в полупроводниковых материалах (трех или более р-n переходов), через которые проходит постоянный ток в заранее заданном направлении, когда импульс управления инициирует проводимость. Они используются в качестве управляемых выпрямителей, переключателей или усилителей и работают как два сблокированных дополнительных транзистора с общим коллектор/база переходом.

(2) Триаки (двунаправленные триодные тиристоры), состоящие из пяти зон проводимости в полупроводниковых материалах (четыре р-n перехода), через которые переменный ток проходит, когда импульс управления инициирует проводимость.

(3) Диаки, состоящие из трех зон проводимости в полупроводниковых материалах (два перехода р-n типа) и используемые для получения импульсов, требуемых для работы триака.

(4) Варакторы (или диоды переменной емкости).

(5) Полевые приборы, например, гридисторы.

(6) Приборы, основанные на эффекте Ганна.

Эта группировка, однако, не включает в себя полупроводниковые приборы, которые отличаются от вышеупомянутых тем, что их работа зависит, в первую очередь, от температуры, давления и т.д., такие как нелинейные полупроводниковые резисторы (терморезисторы, варисторы, магниторезисторы и т.д.) (товарная позиция 8533).

Для фоточувствительных приборов, работа которых зависит от лучей света (фотодиоды и т.д.) см. товарную группировку (Б).

Описанные выше приборы входят в эту товарную позицию, безотносительно к тому, представлены ли они собранными, то есть с их электродами-выводами или соединительными проводниками, или в упаковке (компоненты), не собранными (элементы), или даже в виде не разрезанных на кристаллы дисков (пластины). Однако природные полупроводниковые материалы (например, галенит), классифицируются в этой товарной позиции, лишь когда они собраны.

В эту товарную позицию также не включены химические элементы группы 28 (например, кремний и селен), легированные для использования в электронике в виде дисков, пластин или аналогичных форм, безотносительно к тому, полированы ли они или нет, покрыты однородным эпитаксиальным слоем или нет, при условии, что они не были селективно легированы или легированы методом диффузии для образования дискретных зон.

(Б) Фоточувствительные полупроводниковые приборы

Эта товарная группировка включает фоточувствительные полупроводниковые приборы, в которых воздействие видимых лучей, инфракрасных, ультрафиолетовых лучей вызывает изменения в удельном сопротивлении или генерирует электродвижущую силу посредством внутреннего фотоэффекта.

Фотоэмиссионные трубки (фотоэлементы), работа которых основана на внешнем фотоэффекте (фотоэмиссии), классифицируются в товарной позиции 8540.

Главными типами фоточувствительных полупроводниковых приборов являются:

(1) Фоторезисторы (светочувствительные резисторы), обычно состоящие из двух электродов, между которыми находится полупроводниковое вещество (сульфид кадмия, сульфид свинца и т.д.), электрическое сопротивление которых изменяется от интенсивности освещения, падающего на фоторезистор.

Эти элементы используются в детекторах пламени, в экспозиметрах для автоматических камер, для подсчета перемещающихся объектов, для автоматических прецизионных измерительных устройств, в системах автоматического открывания дверей и т.д.

(2) Фотогальванические элементы, которые превращают свет непосредственно в электрическую энергию, не нуждаясь во внешнем источнике тока. Фотогальванические элементы на базе селена используются главным образом в люксметрах и экспозиметрах. Элементы, основанные на кремнии, имеют более высокий выход и используются, в частности, в управляющем и регулирующем оборудовании, для обнаружения световых импульсов, в системах связи с использованием волоконной оптики и т.д.

Специальными категориями фотогальванических элементов являются:

(i) Солнечные элементы, кремниевые фотогальванические элементы, которые превращают солнечный свет непосредственно в электрическую энергию. Они обычно используются в группах в качестве источников электрической энергии, например, в ракетах или спутниках, используемых при исследовании космоса, для передатчиков, применяемых для спасения потерпевших в горах.

Эта товарная позиция также включает солнечные элементы, безотносительно к тому, собраны они или нет в модули или установлены в панели. Однако эта товарная позиция не включает в себя панели или модули, снабженные элементами, хотя и простыми (например, диодами для регулирования направлением тока), которые подают энергию, например, непосредственно на двигатель, электролизер (товарная позиция 8501).

(ii) Фотодиоды (германиевые, кремниевые и т.д.), характеризуемые изменением удельного электрического сопротивления при падении световых лучей на их р-n переход. Они используются при автоматической обработке информации (считывание перфокарт и лент, запоминание информации), в качестве фотокатодов в некоторых электронных приборах, в радиационных пирометрах и т.д. Фототранзисторы и фототиристоры принадлежат к этой категории фотоэлектрических приемников.

Приборы этой категории отличаются, будучи собранными, от диодов, транзисторов и тиристоров вышеприведенной части (А) корпусом, который является частично прозрачным для обеспечения возможности прохождения света.

(iii) Оптроны и фотореле, состоящие из электролюминесцентных диодов в сочетании с фотодиодами, фототранзисторами или фототиристорами.

Фоточувствительные полупроводниковые приборы включены в эту товарную позицию, безотносительно к тому, представлены ли они собранными (например, с электродами-выводами или соединительными проводниками), в упаковке или не собранными.

(В) Светоизлучающие диоды

Светоизлучающие диоды или электролюминесцентные диоды (основанные, inter alia, на арсениде галлия или фосфиде галлия) являются устройствами, которые превращают электрическую энергию в видимый, инфракрасный или ультрафиолетовый свет. Они используются, например, для отображения или передачи информации в системах управления.

Лазерные диоды излучают луч когерентного света и используются, например, при обнаружении ядерных частиц, в оборудовании для измерения высоты или для телеметрии, в системах связи, использующих волоконную оптику.

(Г) Собранные пьезоэлектрические кристаллы

К ним относятся, в основном, кристаллы титаната бария (включая поликристаллические поляризованные элементы титаната бария), кристаллы титаната цирконата свинца или другие кристаллы товарной позиции 3824 (см. соответствующие пояснения), или кристаллы кварца или турмалина. Они используются в микрофонах, громкоговорителях, ультразвуковой аппаратуре, колебательных контурах стабилизированной частоты и т.д. Они классифицируются здесь только в случае, если они собраны. Они обычно выполняются в виде пластин, стержней, дисков, колец и т.д. и должны, по меньшей мере, снабжаться электродами или электрическими соединениями. Они могут быть покрыты графитом, лаком и т.д. или смонтированы на опорах, и они часто находятся внутри баллона (например, металлического короба, стеклянной колбы). Если, однако, из-за добавки других компонентов законченное изделие (сборка плюс кристалл) не может больше рассматриваться просто как собранный кристалл, и становится идентифицируемым как специфическая деталь машины или оборудования, то такая сборка классифицируется как деталь машины или рассматриваемого оборудования: например, пьезоэлектрические элементы для микрофонов или громкоговорителей (товарная позиция 8518), головки звукового канала (товарная позиция 8522), элементы датчика (чувствительные элементы) ультразвуковых приборов для измерения толщины или обнаружения дефектов (товарная позиция 9033), кварцевые генераторы для электронных часов (товарная позиция 9114).

Из этой товарной позиции также исключаются не собранные пьезоэлектрические кристаллы (обычно, товарная позиция 3823, 7103 или 7104).

Части

В соответствии с общими положениями, касающимися классификации частей (см. Общие положения пояснений к разделу XVI), части товаров этой товарной позиции классифицируются тут же.

Пояснения к субпозиции

Субпозиция 8541 21

Мощность рассеивания транзистора измеряется при приложении специального рабочего напряжения к прибору и измерении длительной мощности рассеивания, используя температурный предел корпуса в 25С. Например, если транзистор способен выдерживать длительный ток нагрузки в 0,2 А при специфическом рабочем напряжении в 5 В, поддерживая температуру корпуса при 25C, его мощность рассеивания составит 1 ватт (ток в амперах, умноженный на напряжение равняется мощность в ваттах).

Для транзисторов со средством отведения тепла (например, лепестком, металлическим корпусом) опорной температурой в 25С будет температура днища корпуса, в то время как для других транзисторов (например, с простым пластмассовым корпусом) применима комнатная температура.

Пояснения к подсубпозициям

8541 40 900 0

Данная подсубпозиция включает гальванические элементы, собранные в модули или установленные на панели, включающие в свой состав bypass diodes (кроме блокировочных диодов). Bypass diodes не являются элементами, которые подают энергию непосредственно, например, на двигатель (см. пояснения к ТНВЭД к товарным позициям 8501 и 8541)

8541 90 000 0

В дополнение к частям, упомянутым в пояснениях к настоящей товарной позиции, в данную подсубпозицию включаются:

1. крепления и корпуса для пьезоэлектрических кристаллов;

2. корпуса из металла, стеатитовой керамики и т.п. для собранных полупроводников.

В данную подсубпозицию не включаются:

(а) электрические соединители для соединения между штырями (или контактами) и электродами (товарная позиция 8536);

(б) части из графита (подсубпозиция 8545 90 900 0).