База кодов ГОСТ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
- Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров - Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений
Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations
Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления - Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics
Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм.
Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений.
Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик - Приборы полупроводниковые. Основные размеры
Semiconductor devices. Basic dimensions
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.
Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы - Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения
Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств.
Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе - Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений - Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте - Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах - Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя;
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности - Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
Transistors. Method for measuring collector reverse current
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА
